晉芯出海!中(zhōng)科(kē)潞安(ān)星耀德(dé)國(guó)

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2024-04-12

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中(zhōng)科(kē)潞安(ān)作(zuò)為(wèi)中(zhōng)國(guó)科(kē)技(jì )部“十四五”重點研發項目“大功率深紫外AlGaN基LED發光材料與器件産(chǎn)業化關鍵技(jì )術”牽頭單位,代表“中(zhōng)國(guó)智造”亮相德(dé)國(guó)漢諾威工(gōng)業博覽會

德(dé)國(guó)漢諾威工(gōng)業博覽會,始創于1947年8月,每年舉辦(bàn)一屆,如今已成為(wèi)規模最大的國(guó)際工(gōng)業盛會,代表全球工(gōng)業技(jì )術發展的風向标。4月17日,2023德(dé)國(guó)漢諾威工(gōng)業博覽會開幕,德(dé)國(guó)聯邦總理(lǐ)奧拉夫·朔爾茨與本屆工(gōng)博會主賓國(guó)印度尼西亞總統佐科(kē)·維多(duō)多(duō)共同為(wèi)本屆博覽會揭幕。

中(zhōng)科(kē)潞安(ān)亮相漢諾威工(gōng)業博覽會

令人驚喜的是,來自山(shān)西的中(zhōng)科(kē)潞安(ān)紫外光電(diàn)科(kē)技(jì )有(yǒu)限公(gōng)司,作(zuò)為(wèi)中(zhōng)國(guó)科(kē)技(jì )部“十四五”重點研發項目“大功率深紫外AlGaN基LED發光材料與器件産(chǎn)業化關鍵技(jì )術”的牽頭單位,代表“中(zhōng)國(guó)智造”亮相博覽會,受到各國(guó)參會者關注。

漢諾威工(gōng)業博覽會現場

本屆博覽會,全球約4000餘家機械工(gōng)程、半導體(tǐ)光電(diàn)、數字平台、工(gōng)業互聯網等領域的頭部企業參展,中(zhōng)科(kē)潞安(ān)作(zuò)為(wèi)中(zhōng)國(guó)紫外LED芯片制造和應用(yòng)領域的佼佼者應邀參會,主要展示了深紫外LED原創技(jì )術專利創新(xīn)和氮化鋁模闆材料的制備工(gōng)藝,吸引了各國(guó)參會者關注和交流,成為(wèi)展會上一道靓麗的風景線(xiàn),也讓“Made in china”再次向世界展示出令人驚豔的科(kē)技(jì )實力。

各國(guó)參展者關注中(zhōng)科(kē)潞安(ān)

山(shān)西中(zhōng)科(kē)潞安(ān)紫外光電(diàn)科(kē)技(jì )有(yǒu)限公(gōng)司,是由中(zhōng)國(guó)科(kē)學(xué)院特聘研究員、中(zhōng)國(guó)科(kē)學(xué)院大學(xué)李晉閩教授團隊主導,在山(shān)西長(cháng)治落地的一家高新(xīn)技(jì )術企業。公(gōng)司成立5年來,聚焦氮化物(wù)半導體(tǐ)深紫外光電(diàn)産(chǎn)業前沿科(kē)技(jì ),擁有(yǒu)從裝(zhuāng)備、材料、芯片到封裝(zhuāng)完整的知識産(chǎn)權和自主可(kě)控的深紫外LED技(jì )術,突破了一系列産(chǎn)業化關鍵技(jì )術,打破了美國(guó)、歐洲、日本對我國(guó)深紫外光電(diàn)器件關鍵材料和高功率器件的禁運,持續引領國(guó)際水平,是國(guó)際上唯一一家深紫外全産(chǎn)業鏈解決方案供應商(shāng)。

中(zhōng)科(kē)潞安(ān)·殺菌機器人(北京冬奧會)

中(zhōng)科(kē)潞安(ān)·包裹消毒機(北京冬奧會)

新(xīn)冠疫情發生以來,中(zhōng)科(kē)潞安(ān)積極承擔社會責任,率先在全國(guó)布局深紫外公(gōng)共安(ān)全殺菌消毒應用(yòng)項目,産(chǎn)品廣泛應用(yòng)于機場、醫(yī)院、高鐵、海關、學(xué)校、物(wù)流、行政等場景,默默地守護着人們的生命健康。

如今的中(zhōng)科(kē)潞安(ān),擔負着推動我國(guó)深紫外LED技(jì )術快速實現産(chǎn)業化的神聖使命,秉承“創新(xīn)紫外科(kē)技(jì ),造福人類健康”的理(lǐ)念,将深耕半導體(tǐ)光電(diàn)産(chǎn)業,不斷攻克科(kē)技(jì )難關,發力研發成果轉化,為(wèi)人們生命健康守衛護航,為(wèi)“中(zhōng)國(guó)智造”持續增光添彩。

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全球UVC LED芯片市場前10強生産(chǎn)商(shāng)排名(míng)中(zhōng)科(kē)潞安(ān)排名(míng)第八


紫外LED一般指發光中(zhōng)心波長(cháng)在405 nm以下的LED,LED業界通常将發光波長(cháng)位于355~405 nm時稱為(wèi)近紫外LED,而短于280 nm時稱為(wèi)深紫外LED。目前在LED的研究和生産(chǎn)中(zhōng)用(yòng)到最多(duō)的材料GaN的禁帶寬度為(wèi)3.4 eV,對應的發光波長(cháng)為(wèi)365 nm,剛好處于近紫外波段範圍,因此,近紫LED中(zhōng)一般采用(yòng)GaN作(zuò)為(wèi)基材。而深紫外LED通過在基材GaN中(zhōng)添加A l 擴大帶隙,獲得更短的發光波長(cháng)。

2023-12-22

中(zhōng)科(kē)潞安(ān)劉乃鑫 | 紫外光通信用(yòng)深紫外LED光源


近十年來,随着紫外固态器件的外延生長(cháng)、制備工(gōng)藝以及封裝(zhuāng)技(jì )術的快速發展,基于日盲區(qū)LED的紫外光通信光源憑借高帶寬、易于攜帶、無毒環保的優點逐步取代了傳統的汞燈、氣體(tǐ)放電(diàn)燈等光源。Micro-LED是新(xīn)興的工(gōng)藝技(jì )術,它可(kě)以實現更大更均勻的注入電(diàn)流密度,有(yǒu)利于研究大注入狀态LED物(wù)理(lǐ)現象。特别是近幾年,UVC Micro-LED在紫外光通信、顯示等領域中(zhōng)展現出了廣闊的應用(yòng)前景,引起了人們的關注和研究熱情。

2023-12-22

中(zhōng)科(kē)潞安(ān)

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